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APTGT50SK120D1G Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 75A 270W D1

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package D1
Package / Case D1
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.6nF @ 25V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max) 75A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Power - Max 270W
Operating Temperature -
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Configuration Single
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APTGT100A1202G Microsemi Corporation Módulos IGBT
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