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APTGT50A170D1G Especificaciones técnicas

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Supplier Device Package D1
Package / Case D1
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max) 70A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Power - Max 310W
Operating Temperature -
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 6mA
Configuration Half Bridge
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APTGT100A1202G Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2741
APTGT100A1202G Microsemi Corporation Módulos IGBT
APTGT100A120D1G Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2761
APTGT100A120D1G Microsemi Corporation Módulos IGBT
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