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APTC60AM70T1G Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 2.7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 39A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7000pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP1
Power - Max 250W
Package / Case SP1
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 259nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 39A
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