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APT75GN120B2G Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 200A 833W TMAX

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 800V, 75A, 1 Ohm, 15V
Switching Energy 8045µJ (on), 7640µJ (off)
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 425nC
Current - Collector (Ic) (Max) 200A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Td (on/off) @ 25°C 60ns/620ns
Power - Max 833W
Package / Case TO-247-3 Variant
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 225A
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Otros incluyen   "APT75"   partes

Las siguientes partes incluyen  'APT75' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT751R2BN APT CIs Calientes Especializados 2729
APT751R4BN APT CIs Calientes Especializados 2912
APT752R4BN APT CIs Calientes Especializados 2772
APT752R8BN APT CIs Calientes Especializados 2727
APT752RBN APT CIs Calientes Especializados 2917
APT752RDN APT CIs Calientes Especializados 2808
APT7575BN APT CIs Calientes Especializados 2886
APT7590BN APT CIs Calientes Especializados 2707
APT75DF170HJ Microsemi Diodos - Rectificadores de Puente 2779
APT75DF170HJ Microsemi Corporation Puentes Rectificadores

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