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APT50GR120JD30
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APT50GR120JD30 Especificaciones técnicas
IGBT 1200V 84A 417W SOT227
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Supplier Device Package | SOT-227 |
Package / Case | SOT-227-4 |
NTC Thermistor | No |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 5.55nF @ 25V |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector (Ic) (Max) | 84A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 50A |
Power - Max | 417W |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Standard |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1.1mA |
Configuration | Single |
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Las siguientes partes incluyen 'APT50'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
APT5010B2 | APT | Módulos IGBT | 2653 |
APT5010B2FLL | APT | Módulos IGBT | 1007 |
APT5010B2FLLG | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2695 |
APT5010B2LC | APT | Módulos IGBT | 2840 |
APT5010B2LL | APT | Módulos IGBT | 2897 |
APT5010B2LLG | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2683 |
APT5010B2VFR | APT | Módulos IGBT | 1368 |
APT5010B2VR | APT | Módulos IGBT | 2846 |
APT5010JFLL | APT | Módulos IGBT | 2427 |
APT5010JLC | APT | Módulos IGBT | 1298 |
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