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APT150GT120JR Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package ISOTOP®
Power - Max 830W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 150µA
Configuration Single
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 150A
Series Thunderbolt IGBT®
Package / Case ISOTOP
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 9.3nF @ 25V
IGBT Type NPT
Current - Collector (Ic) (Max) 170A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT150GN120J Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2267
APT150GN120J Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT150GN120JDQ4 Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 1405
APT150GN120JDQ4 Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT150GN60B2G Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2505
APT150GN60B2G Microsemi Corporation IGBTs individuales
APT150GN60J Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2925
APT150GN60J Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT150GN60JDQ4 Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 1410
APT150GN60JDQ4 Microsemi Corporation Módulos IGBT

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