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APT150GN60LDQ4G Especificaciones técnicas

IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 150A, 1 Ohm, 15V
Switching Energy 8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
Power - Max 536W
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 450A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 150A
Td (on/off) @ 25°C 44ns/430ns
Supplier Device Package TO-264 [L]
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 970nC
Current - Collector (Ic) (Max) 220A
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Otros incluyen   "APT15"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT150GN120J Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2267
APT150GN120J Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT150GN120JDQ4 Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 1405
APT150GN120JDQ4 Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT150GN60B2G Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2505
APT150GN60B2G Microsemi Corporation IGBTs individuales
APT150GN60J Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2925
APT150GN60J Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT150GN60JDQ4 Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 1410
APT150GN60JDQ4 Microsemi Corporation Módulos IGBT

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