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2SC3356-T1B-R24-A
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2SC3356-T1B-R24-A Especificaciones técnicas
SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF |
Manufacturer | CEL (California Eastern Laboratories) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 7GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gain | 11.5dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
2SC3356-T1B-R24-A Documentos
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Otros incluyen "2SC33" partes
Las siguientes partes incluyen '2SC33'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2SC3300 | TOS | CIs Calientes Especializados | 338 |
2SC3301 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 11000 |
2SC3303 | TOS | CIs Calientes Especializados | 12484 |
2SC3303 IC | CJ | CIs Calientes Especializados | 9301 |
2SC3303 MOS | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 979 |
2SC3303-0E | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 7700 |
2SC3303-Y | TOS | CIs Calientes Especializados | 35426 |
2SC3303-Y(T6L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores BJT individuales | |
2SC3303-Y(TE16L1N) | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 1460 |
2SC3303-Y/TO-251 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 10301 |
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