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2SB1258
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2SB1258 Especificaciones técnicas
TRANS PNP DARL 100V 6A TO220F
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Sanken Electric Co., Ltd. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Power - Max | 30W |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 3A, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 6A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 6mA, 3A |
Supplier Device Package | TO-220F |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 100MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2SB1201 | Sanyo Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 985 |
2SB1201 MOS | Sanyo Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1122 |
2SB1201S | Sanyo Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2305 |
2SB1201S MOS | Sanyo Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2549 |
2SB1201S-E | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 11495 |
2SB1201S-E | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2SB1201S-TL | Sanyo Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 111569 |
2SB1201S-TL-E | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2541 |
2SB1201S-TL-E | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2SB1201S-TR | Sanyo Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2575 |
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