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2N6427G Especificaciones técnicas

TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20000 @ 100mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500µA, 500mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N6426 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 51828
2N6426 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 51828
2N6426 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 51828
2N6426 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N6426G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2788
2N6426G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N6426G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
2N6426RLRA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2696
2N6426RLRA ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N6426RLRA Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales

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