2N5796 Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP 600MA 60V TO78-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Power - Max 600mW
Package / Case TO-78-6 Metal Can
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Supplier Device Package TO-78-6
Packaging Bulk
Operating Temperature -
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) -
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N5793 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2501
2N5793 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2655
2N5793 Central Semiconductor Corp Matrices BJT Transistores
2N5794 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2549
2N5794 Central Semiconductor Corp Matrices BJT Transistores
2N5794U Optek Technology / TT Electronics Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2677
2N5794U Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2738
2N5794U TT Electronics/Optek Technology Matrices BJT Transistores
2N5794U Microsemi Corporation Transistores BJT individuales
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