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2N5551ZL1G
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2N5551ZL1G Especificaciones técnicas
TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 625mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Tape & Box (TB) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 300MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "2N555" partes
Las siguientes partes incluyen '2N555'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N5550 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 88610 |
2N5550 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
2N5550 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N5550BU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2592 |
2N5550BU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2525 |
2N5550BU | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N5550BU | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
2N5550G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 757 |
2N5550G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N5550G | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales |
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