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1N5619US Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 3A
Supplier Device Package D-5A
Reverse Recovery Time (trr) 250ns
Package / Case SQ-MELF, A
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 500nA @ 600V
Capacitance @ Vr, F 25pF @ 12V, 1MHz
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 1A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
1N5610 Microsemi Diodos TVS 2515
1N5611 Microsemi Diodos TVS 0
1N5613 Microsemi Diodos TVS 0
1N5614 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2645
1N5614GP-E3/54 Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 2791
1N5614GP-E3/73 Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 2710
1N5614GP-E3/73 Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Rectificadores - Individual 2559
1N5614GPHE3/54 Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 2794
1N5614GPHE3/54 Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Rectificadores - Individual 2551
1N5614US Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2770

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