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1N5553US Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 9A
Supplier Device Package B, SQ-MELF
Reverse Recovery Time (trr) 2µs
Package / Case SQ-MELF, B
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 800V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 3A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
1N5550 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2776
1N5550 Microsemi Corporation Rectificador de Diodo Monofásico
1N5550C.TR Semtech Diodos - Rectificadores - Individual 0
1N5550US Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2633
1N5551 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2628
1N5551 Semtech Diodos - Rectificadores - Individual 751
1N5551 Microsemi Corporation Rectificador de Diodo Monofásico
1N5551C.TR Semtech Diodos - Rectificadores - Individual 2619
1N5551US Semtech Diodos - Rectificadores - Individual 2668
1N5551US Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2533

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