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MS2553C Especificaciones técnicas

TRANS RF BIPO 175W 4A M220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Supplier Device Package M220
Packaging Bulk
Operating Temperature 200°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 1.025GHz ~ 1.15GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 175W
Package / Case M220
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 10.5dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 500mA, 5V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MS2552 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2569
MS2552 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MS2553C Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MS2554 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2674
MS2554 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MS2554A Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2643
MS2554A Microsemi Corporation Transistores BJT RF

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