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MS2211 Especificaciones técnicas
TRANS RF BIPO 25W 900MA M222
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 48V |
Supplier Device Package | M222 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 250°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Frequency - Transition | 960MHz ~ 1.215GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 900mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 25W |
Package / Case | M222 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
Gain | 9.3dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 250mA, 5V |
MS2211 Documentos
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-
Hojas de datos
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Otros incluyen "MS221" partes
Las siguientes partes incluyen 'MS221'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MS221-2.00M-1% | Caddock Electronics, Inc. | CIs Calientes Especializados | 58 |
MS221-365K-1% | Caddock Electronics, Inc. | CIs Calientes Especializados | 1750 |
MS221-732K-1% | Caddock Electronics, Inc. | CIs Calientes Especializados | 200 |
MS2210 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2711 |
MS2210 | Microsemi Corporation | Transistores BJT RF | |
MS2210A | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2760 |
MS2210A | Microsemi Corporation | Transistores BJT RF | |
MS2211 | Microsemi Corporation | Transistores BJT RF | |
MS2212 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2796 |
MS2212 | Microsemi Corporation | Transistores BJT RF |
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