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MRF8372GR1 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 16V 200MA SO8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 16V
Supplier Device Package 8-SO
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 870MHz
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 2.2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 8dB ~ 9.5dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 5V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MRF837 MOTO CIs Calientes Especializados 3662
MRF8372 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2765
MRF8372 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MRF8372G Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2507
MRF8372G Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MRF8372GR1 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MRF8372GR2 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2782
MRF8372GR2 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MRF8372MR1 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 3100
MRF8372MR1 FREESCA CIs Calientes Especializados 34980

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