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MRF555GT Especificaciones técnicas

RF NPN TRANSISTOR

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 16V
Power - Max 3W
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Frequency - Transition 470MHz
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Operating Temperature -
Gain 12.5dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 100mA, 5V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MRF553 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2552
MRF553 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MRF553G Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2735
MRF553G Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MRF553GT Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2523
MRF553GT Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MRF553T Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2671
MRF553T Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MRF555 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2608
MRF555 Microsemi Corporation Transistores BJT RF

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