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JTDB25 Especificaciones técnicas

TRANSISTOR BIPO 55AW-1

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 55V
Supplier Device Package 55AW-1
Packaging Bulk
Operating Temperature 200°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 960MHz ~ 1.215GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 97W
Package / Case 55AW-1
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 7.5dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 500mA, 5V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
JTDB25 Microsemi Corporation Transistores BJT RF

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