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JANTXV2N6760 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-204AA (TO-3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.22 Ohm @ 5.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Military, MIL-PRF-19500/542
Power Dissipation (Max) 4W (Ta), 75W (Tc)
Package / Case TO-204AA, TO-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
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JANTXV2N6760 Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para JANTXV2N6760

Otros incluyen   "JANTX"   partes

Las siguientes partes incluyen  'JANTX' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
JANTX1N1184 Microsemi CIs Calientes Especializados 2204
JANTX1N1184R Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2609
JANTX1N1185R IR CIs Calientes Especializados 2812
JANTX1N1186 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2657
JANTX1N1186R Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2505
JANTX1N1188R Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2513
JANTX1N1189R IR CIs Calientes Especializados 2700
JANTX1N1190 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2683
JANTX1N1190R Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2681
JANTX1N1191R IR CIs Calientes Especializados 2862

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