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JANTXV1N5811US Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A
Supplier Device Package B, SQ-MELF
Series Military, MIL-PRF-19500/477
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 3A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 150V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 30ns
Package / Case SQ-MELF, B
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 150V
Capacitance @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
JANTX1N1184 Microsemi CIs Calientes Especializados 2204
JANTX1N1184R Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2609
JANTX1N1185R IR CIs Calientes Especializados 2812
JANTX1N1186 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2657
JANTX1N1186R Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2505
JANTX1N1188R Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2513
JANTX1N1189R IR CIs Calientes Especializados 2700
JANTX1N1190 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2683
JANTX1N1190R Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2681
JANTX1N1191R IR CIs Calientes Especializados 2862

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