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JANTX2N6796U
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JANTX2N6796U Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 8A
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | 18-ULCC (9.14x7.49) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195 mOhm @ 8A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Military, MIL-PRF-19500/557 |
Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
Package / Case | 18-BQFN Exposed Pad |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28.51nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
JANTX1N1184 | Microsemi | CIs Calientes Especializados | 2204 |
JANTX1N1184R | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2609 |
JANTX1N1185R | IR | CIs Calientes Especializados | 2812 |
JANTX1N1186 | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2657 |
JANTX1N1186R | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2505 |
JANTX1N1188R | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2513 |
JANTX1N1189R | IR | CIs Calientes Especializados | 2700 |
JANTX1N1190 | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2683 |
JANTX1N1190R | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2681 |
JANTX1N1191R | IR | CIs Calientes Especializados | 2862 |
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