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JANTX2N3019/TR Especificaciones técnicas

SMALL-SIGNAL BJT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN
Series Military, MIL-PRF-19500/391
Power - Max 800mW
Package / Case TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-5
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-5
RoHS Status RoHS non-compliant
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
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JANTX2N3019/TR Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para JANTX2N3019/TR

Otros incluyen   "JANTX"   partes

Las siguientes partes incluyen  'JANTX' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
JANTX1N1184 Microsemi CIs Calientes Especializados 2204
JANTX1N1184R Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2609
JANTX1N1185R IR CIs Calientes Especializados 2812
JANTX1N1186 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2657
JANTX1N1186R Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2505
JANTX1N1188R Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2513
JANTX1N1189R IR CIs Calientes Especializados 2700
JANTX1N1190 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2683
JANTX1N1190R Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2681
JANTX1N1191R IR CIs Calientes Especializados 2862

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