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JAN2N7236U
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JAN2N7236U Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 100V 18A TO-267AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-267AB |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 18A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Military, MIL-PRF-19500/595 |
Power Dissipation (Max) | 4W (Ta), 125W (Tc) |
Package / Case | TO-267AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'JAN2N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
JAN2N1016B | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2654 |
JAN2N1016C | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2542 |
JAN2N1016D | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2714 |
JAN2N1171A | ST | CIs Calientes Especializados | 2815 |
JAN2N1172A | ST | CIs Calientes Especializados | 2756 |
JAN2N1173A | ST | CIs Calientes Especializados | 2936 |
JAN2N1174A | ST | CIs Calientes Especializados | 2812 |
JAN2N1175A | ST | CIs Calientes Especializados | 2854 |
JAN2N1176A | ST | CIs Calientes Especializados | 2834 |
JAN2N1177A | ST | CIs Calientes Especializados | 2909 |
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