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JAN2N6798 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH TO-205AF TO-39

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-39
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Military, MIL-PRF-19500/557
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 25W (Tc)
Package / Case TO-205AF Metal Can
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42.07nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
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JAN2N6798 Documentos

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Otros incluyen   "JAN2N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'JAN2N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
JAN2N1016B Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2654
JAN2N1016C Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2542
JAN2N1016D Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2714
JAN2N1171A ST CIs Calientes Especializados 2815
JAN2N1172A ST CIs Calientes Especializados 2756
JAN2N1173A ST CIs Calientes Especializados 2936
JAN2N1174A ST CIs Calientes Especializados 2812
JAN2N1175A ST CIs Calientes Especializados 2854
JAN2N1176A ST CIs Calientes Especializados 2834
JAN2N1177A ST CIs Calientes Especializados 2909

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