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JAN2N5014
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JAN2N5014 Especificaciones técnicas
NPN TRANSISTOR
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
Supplier Device Package | TO-5 |
RoHS Status | RoHS non-compliant |
Package / Case | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Mounting Type | Through Hole |
Detailed Description | Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 200mA 1W Through Hole TO-5 |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Series | Military, MIL-PRF-19500/727 |
Power - Max | 1W |
Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para JAN2N5014
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Hojas de datos
Otros incluyen "JAN2N" partes
Las siguientes partes incluyen 'JAN2N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
JAN2N1016B | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2654 |
JAN2N1016C | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2542 |
JAN2N1016D | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2714 |
JAN2N1171A | ST | CIs Calientes Especializados | 2815 |
JAN2N1172A | ST | CIs Calientes Especializados | 2756 |
JAN2N1173A | ST | CIs Calientes Especializados | 2936 |
JAN2N1174A | ST | CIs Calientes Especializados | 2812 |
JAN2N1175A | ST | CIs Calientes Especializados | 2854 |
JAN2N1176A | ST | CIs Calientes Especializados | 2834 |
JAN2N1177A | ST | CIs Calientes Especializados | 2909 |
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