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JAN1N6630US Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1.4A
Supplier Device Package D-5B
Series Military, MIL-PRF-19500/590
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 1.4A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 900V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 50ns
Package / Case SQ-MELF, E
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 2µA @ 900V
Capacitance @ Vr, F -
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Otros incluyen   "JAN1N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'JAN1N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
JAN1N1124 Microsemi CIs Calientes Especializados 2723
JAN1N1124A IR CIs Calientes Especializados 1452
JAN1N1125AR IR CIs Calientes Especializados 2992
JAN1N1127AR IR CIs Calientes Especializados 2804
JAN1N1183 MOTOROLA CIs Calientes Especializados 2945
JAN1N1183A MOTOROLA CIs Calientes Especializados 2712
JAN1N1183AR MOTOROLA CIs Calientes Especializados 2927
JAN1N1184 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2615
JAN1N1184A MOTOROLA CIs Calientes Especializados 2899
JAN1N1186 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2714

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