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JAN1N5809URS
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JAN1N5809URS Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Series | Military, MIL-PRF-19500/477 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Package / Case | SQ-MELF, B |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
JAN1N5809URS Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para JAN1N5809URS
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Hojas de datos
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Otros incluyen "JAN1N" partes
Las siguientes partes incluyen 'JAN1N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
JAN1N1124 | Microsemi | CIs Calientes Especializados | 2723 |
JAN1N1124A | IR | CIs Calientes Especializados | 1452 |
JAN1N1125AR | IR | CIs Calientes Especializados | 2992 |
JAN1N1127AR | IR | CIs Calientes Especializados | 2804 |
JAN1N1183 | MOTOROLA | CIs Calientes Especializados | 2945 |
JAN1N1183A | MOTOROLA | CIs Calientes Especializados | 2712 |
JAN1N1183AR | MOTOROLA | CIs Calientes Especializados | 2927 |
JAN1N1184 | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2615 |
JAN1N1184A | MOTOROLA | CIs Calientes Especializados | 2899 |
JAN1N1186 | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2714 |
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