APTMC120AM08CD3AG Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 10mA (Typ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 200A, 20V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9500pF @ 1000V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package D3
Power - Max 1100W
Package / Case D-3 Module
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 490nC @ 20V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APTMC120AM08CD3AG Microsemi Corporation Matrices de transistores MOSFETs
APTMC120AM09CT3AG Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2649
APTMC120AM09CT3AG Microsemi Corporation Matrices de transistores MOSFETs
APTMC120AM12CT3AG Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2700
APTMC120AM12CT3AG Microsemi Corporation Matrices de transistores MOSFETs
APTMC120AM16CD3AG Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2665
APTMC120AM16CD3AG Microsemi Corporation Matrices de transistores MOSFETs
APTMC120AM20CT1AG Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2589
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