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APTM50UM25SG Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 149A J3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Supplier Device Package Module
Power Dissipation (Max) 1250W (Tc)
Package / Case J3 Module
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 364nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 149A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 74.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 17500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Otros incluyen   "APTM5"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APTM50A15FT1G Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2753
APTM50A15FT1G Microsemi Corporation Matrices de transistores MOSFETs
APTM50AM17F MICROSEM Módulos IGBT 1253
APTM50AM17FG Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2607
APTM50AM17FG Microsemi Corporation Matrices de transistores MOSFETs
APTM50AM19FG Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2562
APTM50AM19FG Microsemi Corporation Matrices de transistores MOSFETs
APTM50AM19STG Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2706
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