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APTM50SKM19G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 163A SP6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Supplier Device Package SP6
Power Dissipation (Max) 1136W (Tc)
Package / Case SP6
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 492nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 163A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 22400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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APTM50AM17FG Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2607
APTM50AM17FG Microsemi Corporation Matrices de transistores MOSFETs
APTM50AM19FG Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2562
APTM50AM19FG Microsemi Corporation Matrices de transistores MOSFETs
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