APTGV30H60T3G Especificaciones técnicas

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Supplier Device Package SP3
Package / Case SP3
NTC Thermistor Yes
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.6nF @ 25V
IGBT Type NPT, Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Power - Max 90W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 250µA
Configuration Full Bridge Inverter
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APTGV100H60BTPG Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2684
APTGV100H60BTPG Microsemi Corporation Módulos IGBT
APTGV100H60T3G Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2764
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