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APTGT75DH120T3G Especificaciones técnicas

MOD IGBT 1200V 110A SP3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package SP3
Package / Case SP3
NTC Thermistor Yes
Input Capacitance (Cies) @ Vce 5.34nF @ 25V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max) 110A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Power - Max 357W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 250µA
Configuration Asymmetrical Bridge
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APTGT100A1202G Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2741
APTGT100A1202G Microsemi Corporation Módulos IGBT
APTGT100A120D1G Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2761
APTGT100A120D1G Microsemi Corporation Módulos IGBT
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