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APTGT75DA120T1G
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APTGT75DA120T1G Especificaciones técnicas
IGBT 1200V 110A 357W SP1
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Supplier Device Package | SP1 |
Package / Case | SP1 |
NTC Thermistor | Yes |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 5.34nF @ 25V |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector (Ic) (Max) | 110A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
Power - Max | 357W |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Standard |
Current - Collector Cutoff (Max) | 250µA |
Configuration | Single |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
APTGT100A1202G | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2741 |
APTGT100A1202G | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APTGT100A120D1G | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2761 |
APTGT100A120D1G | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APTGT100A120T3AG | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2517 |
APTGT100A120T3AG | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APTGT100A120TG | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2709 |
APTGT100A120TG | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APTGT100A170D1G | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2779 |
APTGT100A170D1G | Microsemi Corporation | Módulos IGBT |
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