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APTGLQ30H65T3G Especificaciones técnicas

POWER MODULE - IGBT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Power - Max 95W
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.9nF @ 25V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
Configuration Full Bridge
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A
Package / Case Module
NTC Thermistor Yes
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 650V 40A 95W Chassis Mount
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APTGL120TA120TPG Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2719
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