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APTGF150A120T3WG Especificaciones técnicas

IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package SP3
Package / Case SP3
NTC Thermistor Yes
Input Capacitance (Cies) @ Vce 9.3nF @ 25V
IGBT Type NPT
Current - Collector (Ic) (Max) 210A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 150A
Power - Max 961W
Operating Temperature -
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 250µA
Configuration Half Bridge
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APTGF100A1202G Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2556
APTGF100A1202G Microsemi Corporation Módulos IGBT
APTGF100A120D1G IGBT Module Módulos IGBT 2960
APTGF100A120T3AG Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2725
APTGF100A120T3AG Microsemi Corporation Módulos IGBT
APTGF100A120T3WG Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2747
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