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APTC60DAM24T1G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 95A SP1

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 5mA
Supplier Device Package SP1
Power Dissipation (Max) 462W (Tc)
Package / Case SP1
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 95A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 47.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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APTC60AM242G Microsemi Corporation Matrices de transistores MOSFETs
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