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APT85GR120B2 Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 170A 962W TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 85A, 4.3 Ohm, 15V
Switching Energy 6mJ (on), 3.8mJ (off)
Power - Max 962W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 340A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 85A
Td (on/off) @ 25°C 43ns/300ns
Supplier Device Package T-MAX™
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 660nC
Current - Collector (Ic) (Max) 170A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT85GR120B2 Microsemi Corporation IGBTs individuales
APT85GR120J Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2546
APT85GR120J Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT85GR120JD60 Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2484
APT85GR120JD60 Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT85GR120JR60 APT CIs Calientes Especializados 2976
APT85GR120L Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2793
APT85GR120L Microsemi Corporation IGBTs individuales

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