APT77N60SC6 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 2.96mA
Supplier Device Package D3Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 44.4A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 481W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 77A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT77H60J MICROSEMI Módulos IGBT 2848
APT77N60BC6 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2659
APT77N60JC3 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2908
APT77N60JC3 Microsemi Corporation Transistores MOSFET individuales

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