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APT66F60B2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 1135W (Tc)
Package / Case TO-247-3 Variant
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package T-MAX™ [B2]
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 33A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13190pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT66F60L Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2656
APT66M60B2 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2975
APT66M60L Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2820

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