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APT65GP60J Especificaciones técnicas

IGBT 600V 130A 431W SOT227

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Supplier Device Package ISOTOP®
Power - Max 431W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Configuration Single
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 65A
Series POWER MOS 7®
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 7.4nF @ 25V
IGBT Type PT
Current - Collector (Ic) (Max) 130A
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Las siguientes partes incluyen  'APT65' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT65GL100BN APT CIs Calientes Especializados 2700
APT65GP60B2 APT CIs Calientes Especializados 2914
APT65GP60B2G Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2688
APT65GP60B2G Microsemi Corporation IGBTs individuales
APT65GP60J Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT65GP60JDQ2 APT Módulos IGBT 1418
APT65GP60JDQ2 Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT65GP60L2DQ2G Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2714
APT65GP60L2DQ2G Microsemi Corporation IGBTs individuales

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