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APT64GA90LD30 Especificaciones técnicas

IGBT 900V 117A 500W TO-264

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V
Test Condition 600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V
Switching Energy 1192µJ (on), 1088µJ (off)
Series POWER MOS 8™
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 162nC
Current - Collector (Ic) (Max) 117A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 38A
Td (on/off) @ 25°C 18ns/131ns
Supplier Device Package TO-264 [L]
Power - Max 500W
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
IGBT Type PT
Current - Collector Pulsed (Icm) 193A
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Otros incluyen   "APT64"   partes

Las siguientes partes incluyen  'APT64' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT64GA120B APT CIs Calientes Especializados 82
APT64GA90B Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2606
APT64GA90B Microsemi Corporation IGBTs individuales
APT64GA90B2D30 Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2709
APT64GA90B2D30 Microsemi Corporation IGBTs individuales
APT64GA90LD30 Microsemi Corporation IGBTs individuales

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