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APT6010B2LLG Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package T-MAX™ [B2]
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 27A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6710pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 7®
Power Dissipation (Max) 690W (Tc)
Package / Case TO-247-3 Variant
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 54A (Tc)
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Otros incluyen   "APT60"   partes

Las siguientes partes incluyen  'APT60' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT6010B2FLLG APT CIs Calientes Especializados 59
APT6010B2LL APT CIs Calientes Especializados 2809
APT6010JFLL MICROSEMI Módulos IGBT 2895
APT6010JLL APT Módulos IGBT 2749
APT6010LFLL APT CIs Calientes Especializados 25
APT6010LFLLG APT CIs Calientes Especializados 2960
APT6010LLL APT Módulos IGBT 2579
APT60112VRG APT CIs Calientes Especializados 79
APT6011B2VFR APT CIs Calientes Especializados 741
APT6011B2VR APT CIs Calientes Especializados 2878

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