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APT58M50JU2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 543W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 340nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package SOT-227
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 42A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 58A
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Otros incluyen   "APT58"   partes

Las siguientes partes incluyen  'APT58' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT58F50J Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2795
APT58F80J MICROSEMI Módulos IGBT 2736
APT58M50J Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2893
APT58M50J Microsemi Corporation Transistores MOSFET individuales
APT58M50JCU2 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2746
APT58M50JCU3 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2682
APT58M50JU3 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2576
APT58M50JV2 Microsemi Módulos IGBT 2550
APT58M80J Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2817
APT58MJ50J Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2522

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