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APT56M50B2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package T-MAX™
Power Dissipation (Max) 780W (Tc)
Package / Case TO-247-3 Variant
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 28A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Otros incluyen   "APT56"   partes

Las siguientes partes incluyen  'APT56' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT564-227-1334 APT CIs Calientes Especializados 2876
APT56F50B2 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2779
APT56F50L Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2798
APT56F60B2 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2787
APT56F60B2 94N65 MOS Microsemi CIs Calientes Especializados 1267
APT56F60L Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2603
APT56H50J MICROSEMI Módulos IGBT 2809
APT56M50B2 Microsemi Corporation Transistores MOSFET individuales
APT56M50L Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2896
APT56M60B2 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2947

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