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APT50N60JCU2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package SOT-227
Power Dissipation (Max) 290W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 52A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 22.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Otros incluyen   "APT50"   partes

Las siguientes partes incluyen  'APT50' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT5010B2 APT Módulos IGBT 2653
APT5010B2FLL APT Módulos IGBT 1007
APT5010B2FLLG Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2695
APT5010B2LC APT Módulos IGBT 2840
APT5010B2LL APT Módulos IGBT 2897
APT5010B2LLG Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2683
APT5010B2VFR APT Módulos IGBT 1368
APT5010B2VR APT Módulos IGBT 2846
APT5010JFLL APT Módulos IGBT 2427
APT5010JLC APT Módulos IGBT 1298

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