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APT48M80B2
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APT48M80B2 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Supplier Device Package | T-MAX™ [B2] |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 24A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9330pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | POWER MOS 8™ |
Power Dissipation (Max) | 1135W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 Variant |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 305nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 49A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'APT48'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
APT48M60JN | APT | Módulos IGBT | 2996 |
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