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APT43GA90B Especificaciones técnicas

IGBT 900V 78A 337W TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V
Test Condition 600V, 25A, 4.7 Ohm, 15V
Switching Energy 875µJ (on), 425µJ (off)
Series POWER MOS 8™
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 116nC
Current - Collector (Ic) (Max) 78A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 25A
Td (on/off) @ 25°C 12ns/82ns
Supplier Device Package TO-247 [B]
Power - Max 337W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type PT
Current - Collector Pulsed (Icm) 129A
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Otros incluyen   "APT43"   partes

Las siguientes partes incluyen  'APT43' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT43F60B2 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2555
APT43F60L Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2641
APT43GA60BD3Q APT CIs Calientes Especializados 17
APT43GA90B Microsemi Corporation IGBTs individuales
APT43GA90BD30 Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2527
APT43GA90BD30 Microsemi Corporation IGBTs individuales
APT43GA90BQ30 APT CIs Calientes Especializados 19
APT43M60B2 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2902
APT43M60B2 Microsemi Corporation Transistores MOSFET individuales
APT43M60L Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2817

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