APT40SM120S Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA (Typ)
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 20A, 20V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2560pF @ 1000V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 41A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +25V, -10V
Supplier Device Package D3Pak
Power Dissipation (Max) 273W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 20V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT4012BVFR APT CIs Calientes Especializados 2745
APT4012BVR Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2734
APT4012BVRG Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2694
APT4014BVFR APT CIs Calientes Especializados 2733
APT4014BVR APT CIs Calientes Especializados 2767
APT4016BN APT CIs Calientes Especializados 2935
APT4016BVFR APT CIs Calientes Especializados 2776
APT4016BVFRG APT CIs Calientes Especializados 2973
APT4016BVR APT CIs Calientes Especializados 2938
APT4016BVRG Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2629

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