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APT38F80B2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package T-MAX™ [B2]
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8070pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 1040W (Tc)
Package / Case TO-247-3 Variant
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 41A (Tc)
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Otros incluyen   "APT38"   partes

Las siguientes partes incluyen  'APT38' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT38F50J Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2808
APT38F80L Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2958
APT38M50J Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2864
APT38N60BC6 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2606
APT38N60SC6 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2773

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